سامسونگ در تلاش است با استفاده از فناوری ۱۰ نانومتری FinFET، پردازنده‌ی گلکسی اس 8 را آماده کند؛ اما ممکن است در این راه به مشکل بر بخورد.


سامسونگ تلاشی شبانه‌روزی برای تولید پردازنده‌ی گلکسی اس ۸ با فناوری ۱۰ نانومتری FinFET انجام می‌دهد؛ اما خبرهای جدید از کره‌ی جنوبی، حاکی از مانعی در این راه به نام نقض پتنت است.

بنا بر گزارش کره هرالد، شرکت KAIST که در آمریکا قرار دارد، از سامسونگ بابت پتنت مرتبط با FinFET شکایت کرده است. این شرکت مدعی شد سامسونگ این پتنت را ***یده است. این ***ی از دید KAIST زمانی رخ داد که توسعه‌دهنده‌ی FinFET در جلسه‌ای جزئیات فناوری را به مهندسان سامسونگ توضیح داده است تا زمینه‌ساز همکاری KAIST و سامسونگ شود. اینتل از FinFET استفاده می‌کند و لیسانس‌های آن را از KAIST خریداری کرده است؛ اما سامسونگ این کار را انجام نداده است.

البته سامسونگ در این پرونده تنها نیست. KAIST از کوالکام و همچنین Global Foundries که لیسانس‌های خود را از سامسونگ خریداری کردند، شکایت کرده است. همچنین این شرکت اعلام کرد به‌زودی با جمع‌آوری شواهد، به سراغ TSMC نیز خواهد رفت.